Все науки. №12, 2023. Международный научный журнал. Ибратжон Хатамович Алиев
Читать онлайн книгу.
тонкая пленка.
Введение
Интенсивное развитие микро – и нано электроники, новых технологических возможностей изготовления сложных твердотельных низкоразмерных структур, стимулируют разработки новых неразрушающих диагностических методами. Создания оригинальных оптоэлектронных устройств стимулируютдальнейшее изучение новых оптических и фотоэлектрических явлений в активных пленочных элементах. [1]
Полупроводниковые плёнки CdTe являются важным материалом для создания фотоприёмных устройств на основе их гетероструктур, работающих в ближнем (0,4 – 3 мкм) и дальнем (8 – 14 мкм) инфракрасных диапазонах [2—4]. Актуальной является также проблема получения гетероструктур на основе фоточувствительных слоев со слоями разного типа проводимости и зонной структурой в процессе выращивания высокотемпературным термическим испарением. В частности, перспективной примесью для получения материалаp-типа является серебро и медь [7].
В данной работе исследовано внутренней структуры и новых фотоэлектрических свойств активных тонких плёнок CdTe с глубокими примесными уровнями и их гетероструктур в условиях внешних воздействий.
Методика
В работе изучены низко размерные (размеры кристаллических зерен составляет 0,05—0,1мкм) тонкие пленки p-CdTe полученные на SiO2-Si. Разработано технология получения тонких пленок и пленочных структур на основе CdTe и установлены оптимальные параметры технологии получения этих пленочных элементов [1].Полупроводниковый материал CdTe и примеси Ag, Cu наносились в вакууме 10—5 мм. рт. ст. из отдельного алундового тигля на окислённую поверхность кремния легированной бором, прогретую 500 – 520 К, толщина плёнок была 1,0—2,0 мкм, а скорость напыления CdTe 2,0 нм/с.
Известно, что в процессе выращивания плёнки CdTe, примеси серебро и медь встраивается, в объем растушую плёнку в виде комплексов, имеющих акцепторные свойства [2].
Экспериментальные результаты и их обсуждение
Изучение спектров тока короткого замыкания (Iкз) структурыCdTe-SiO2-Siв зависимости от величины внешнего коронного разряда в статическом режиме наблюдается смещение спектров в коротковолновую область (рис.1).
Рис.1.Спектральные зависимости Iкз для структуры CdTe-SiO2-Si от величины потенциала коронного разряда: jкр =80 В (кривая 1), 50 В (2),0 В (3).
Следует отметить, что при коронном разряде наблюдается явное изменение энергии активации глубокого уровня (0,7 эВ, 1,15 эВ) в зависимости от потенциала коронного разряда. Это показывает, что уровень находиться в области объемного заряда, у слоя SiO2
Конец ознакомительного фрагмента.
Текст предоставлен ООО «Литрес».
Прочитайте эту книгу целиком, купив полную легальную версию на Литрес.
Безопасно оплатить книгу можно банковской картой Visa, MasterCard, Maestro, со счета мобильного телефона, с платежного терминала, в салоне МТС или Связной, через PayPal, WebMoney, Яндекс.Деньги, QIWI Кошелек, бонусными картами или другим удобным Вам способом.