АМС США В ДАЛЬНЕМ КОСМОСЕ – ФАЛЬШИВКИ. ПРИЗНАКИ ФАЛЬСИФИКАЦИИ. А. В. Панов
Читать онлайн книгу.
(или сокращенно DAM). Радиоизлучение впервые наблюдавшееся из космоса на Земле с периодичностью примерно в 10 часов, как, оказалось, принадлежало Юпитеру». [2]
Ко всем перечисленным «прелестям» тормозное, рентгеновское излучение в магнитном поле Юпитера имеет аномальные величины: «Замечено, что всплески в радиоизлучении Юпитера также связаны с повышением солнечной активности. В дополнение к относительно длинноволновому радиоизлучению, Юпитер также испускает синхротронное излучение (также известное, как Юпитерианское дециметровое излучение или „DIM“) на частотах в 0.1—15 ГГц (длина волн от 3 м до 2 см), которое является тормозным излучением релятивистских электронов захваченных во внутренние радиационные пояса планеты. Энергия электронов сопровождающих „DIM“ излучение равняется 0.1 – 100 мэВ, а основной вклад в него вносят электроны с энергией от 1 до 20 мэВ. Это излучение хорошо понятно и изучено, использовалось с начала 1960-х для изучения структуры планетарного магнитного поля и радиационных поясов. Частицы в радиационных поясах происходят из внешней магнитосферы и адиабатически ускоряются, когда попадают во внутреннюю. Магнитосфера Юпитера выбрасывает потоки из высоко-энергетических электронов и ионов (с энергией до десятков мэВ), которые достигают Земной орбиты. Эти потоки частиц высоко коллимированы и разнятся в зависимости от периода вращения планеты, как и радиоизлучение. В этом отношении Юпитер также напоминает пульсар». [2] Микросхемы и вся электроника АМС полностью обречены!
О том, как влияет рентгеновское излучение, например, на микросхемы, хорошо известно специалистам: «Воздействие рентгеновского излучения на электронные устройства и компоненты 37 Механизм повреждения: Что происходит с микросхемой, когда она подвергается воздействию рентгеновского излучения? Механизмы повреждений различаются от технологии к технологии, например, для современных микросхем важны радиационно-индуцированные токи утечки, а в старых технологиях важную роль играл сдвиг порогового напряжения транзистора. К примеру, при прохождении рентгеновского излучения через транзистор в подзатворном диэлектрике начинает накапливаться заряд, который будет влиять на работу транзистора, как дополнительно приложенное logID. Ситуация «После облучения» – красная линия на графике. Событие «До облучения» – это голубая линия на рисунке 8. Ниже представлен график зависимости logID от напряжения затвора 8.
Рисунок 8: Вольтамперная характеристика МОП n-канального транзистора до и после облучения. В результате транзистор будет постоянно «открыт», что естественно приведет к потере работоспособности схемы. Также уменьшение порогового напряжения транзистора приведет к превышению общего тока потребления микросхемы из-за токов утечки. На рисунке 8 приведена вольтамперная характеристика МОП n-канального транзистора до и после облучения. Зависимость от поглощённой